型号:

RHP030N03T100

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Rohm Semiconductor描述:MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
RHP030N03T100 PDF
产品目录绘图 xT100 Series SOT-89
特色产品 ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 120 毫欧 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 6.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 160pF @ 10V
功率 - 最大 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-243AA
供应商设备封装 MPT3
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1637 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 RHP030N03T100CT
相关参数
0097065502 Laird Technologies EMI CLIP ON PERPENDICULAR GRD STRIP
MNZB-EVB-24-SMA MeshNetics BOARD DEV 802.15.4/ZIGB SMA CONN
3481-6 3M ASSEMBLY NEST
IRFS4310ZTRLPBF International Rectifier MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
H1112 Pulse Electronics Corporation MODULE TRANSFMR SNGL LAN 12P SMD
0097013504 Laird Technologies EMI RFI EMI GROUNDING MATERIAL
RHP030N03T100 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89
SF2126E RFM SAW FILTER RF 725MHZ SM3030-8
MNZB-EVB-24-A2 MeshNetics BOARD DEV 802.15.4/ZIGB CHIP ANT
0097051502 Laird Technologies EMI RFI EMI GROUNDING MATERIAL
S558-5500-68 Bel Fuse Inc XFRMR MODULE LAN 10/100BT SMD
H5015NL Pulse Electronics Corporation TRANSFORMER MODULE GIGABIT 1PORT
MXO45-2C-80M0000 CTS-Frequency Controls OSC 80.0000MHZ CMOS/TTL FULLSIZE
0623000156 Molex Inc MINI-CAM TOOLED FOR .156
MNZB-EVB-24-B0 MeshNetics BOARD DEV 802.15.4/ZIGB PCB ANT
PE-65968 Pulse Electronics Corporation TRANSFORMER TELECOM SINGLE T3/E3
0097061002 Laird Technologies EMI BECU ALLOY FINGERSTOCK GASKET
IRFZ44ZSPBF International Rectifier MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
3442-16 3M DIP CONNECTOR PLATEN .1"
0097052102 Laird Technologies EMI BECU ALLOY FINGERSTOCK GASKET